Para as curvas características de transistores, a respeito do Efeito Early podemos afirmar que
- A trata-se da tensão reversa responsável pelo mecanismo de avalanche nos semicondutores.
- B trata-se da Tensão Vce Limite na região ativa da Reta de carga de um transistor quando Ic tende a zero.
- C trata-se do efeito cumulativo de aumento no ganho Bt = B1*B2 associado a configuração Darlington de transistores.
- D trata-se do efeito resultante da inclinação da curva IB de polarização de um transistor que ao extrapoladas se interceptam em um ponto em comum do eixo negativo de Vce.
- E trata-se da carga armazenada em ambos os lados da camada de depleção em uma junção semicondutora PN.