Questões de Transistor (Eletroeletrônica)

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Qual é a região mais fortemente dopada na estrutura de um transistor de junção bipolar (TJB)?

  • A Alfa.
  • B Base.
  • C Coletor.
  • D Emissor.

Considere o seguinte arranjo de transistores:
Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas De forma analítica, o ganho total da corrente de coletor Ic em relação a corrente de base Ib é dado po

  • A β1 x β2
  • B β1 + β2
  • C β1 - β2
  • D (β1 x β2) + β1 + β2
  • E (β1 x β2) + β1 - β2

Considere a seguinte resposta gráfica das curvas características do transistor conectado conforme o circuito: Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas Sabendo que a reta que se estende do ponto Y ao ponto X é a reta de carga do transistor no arranjo, os pontos Y e X são dados respectivamente por:

  • A Vcc/Rc e Vcc
  • B Vcc e Vcc/RC
  • C Vbb/Rb e Vbb
  • D Vcc/Rb e Vbb
  • E Vbb/Rc e Vcc

Para as curvas características de transistores, a respeito do Efeito Early podemos afirmar que

  • A trata-se da tensão reversa responsável pelo mecanismo de avalanche nos semicondutores.
  • B trata-se da Tensão Vce Limite na região ativa da Reta de carga de um transistor quando Ic tende a zero.
  • C trata-se do efeito cumulativo de aumento no ganho Bt = B1*B2 associado a configuração Darlington de transistores.
  • D trata-se do efeito resultante da inclinação da curva IB de polarização de um transistor que ao extrapoladas se interceptam em um ponto em comum do eixo negativo de Vce.
  • E trata-se da carga armazenada em ambos os lados da camada de depleção em uma junção semicondutora PN.

Considere o seguinte esquema associado ao estágio de saída de um aplificador de potência:
Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas Sobre o arranjo, é incorreto afirmar que

  • A quando a tensão Vin for zero, os dois transistores estarão em corte e a tensão de saída Vo é zero.
  • B quando o sinal de entrada entra na faixa negativa (inferior negativamente cerca de 0,5V da referência a fim de vencer a junção do transistor Q2) Q2 entrará em condução e a tensão na saída é limitada pelo valor Vo = -Vcc + VECsatQ onde VECsatQ2 2 é a tensão de saturação de Q2.
  • C quando a tensão Vin é positiva excedendo cerca de 0,5V o valor da referência Q2 estará em corte
  • D o sistema é polarizado com uma corrente CC aproximadamente nula e cada transitor conduz apenas durante metade do ciclo total (semiciclo positivo ou semiciclo negativo) do sinal de entrada
  • E o transistor Q2 possui ângulo de condução de 360° permitindo a característica de transferência de sinais positivos e negativos na entrada Vin.