A condutividade em semicondutores é controlada por impurezas e condições externas, influenciando o desempenho de dispositivos eletrônicos. Avaliando um diodo de silício com dopagem tipo N em uma fonte de alimentação, a análise técnica concentra-se na mobilidade dos portadores de carga no material semicondutor. Acerca da mobilidade dos portadores, marque V para as afirmativas verdadeiras e F para as falsas.
(__)A mobilidade dos elétrons em semicondutores tipo N é maior que a dos buracos, favorecendo a condução por elétrons.
(__)A mobilidade dos portadores em semicondutores é diretamente proporcional à temperatura, aumentando indefinidamente com o aquecimento.
(__)A mobilidade dos portadores em semicondutores tipo P depende exclusivamente da dopagem, sem relação com a estrutura cristalina.
(__)A mobilidade dos portadores é influenciada pela dopagem, diminuindo em altos níveis devido a colisões com impurezas.
Após análise, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta dos itens acima, de cima para baixo:
- A F, F, V, F.
- B V, F, F, V.
- C F, F, V, V.
- D V, V, V, V.
- E V, F, F, F.