Questões de Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica (Engenharia Elétrica)

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A condutividade em semicondutores é controlada por impurezas e condições externas, influenciando o desempenho de dispositivos eletrônicos. Avaliando um diodo de silício com dopagem tipo N em uma fonte de alimentação, a análise técnica concentra-se na mobilidade dos portadores de carga no material semicondutor. Acerca da mobilidade dos portadores, marque V para as afirmativas verdadeiras e F para as falsas.

(__)A mobilidade dos elétrons em semicondutores tipo N é maior que a dos buracos, favorecendo a condução por elétrons.
(__)A mobilidade dos portadores em semicondutores é diretamente proporcional à temperatura, aumentando indefinidamente com o aquecimento.
(__)A mobilidade dos portadores em semicondutores tipo P depende exclusivamente da dopagem, sem relação com a estrutura cristalina.
(__)A mobilidade dos portadores é influenciada pela dopagem, diminuindo em altos níveis devido a colisões com impurezas.

Após análise, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta dos itens acima, de cima para baixo:

  • A F, F, V, F.
  • B V, F, F, V.
  • C F, F, V, V.
  • D V, V, V, V.
  • E V, F, F, F.

A respeito da resistividade dos metais, analise as afirmativas a seguir.
I. A resistividade diminui com a temperatura.
II. A concentração de impurezas interfere na resistividade.
III. A resistividade diminui com a deformação plástica do metal.
Está correto apenas o que se afirma em:

  • A I;
  • B II;
  • C III;
  • D I e III;
  • E II e III.

Uma bobina elétrica é composta por fios condutores enrolados em torno de um núcleo, sendo esses fios responsáveis por permitir a passagem da corrente elétrica e a criação de um campo magnético.
Com base na descrição, qual é o material condutor mais utilizado na fabricação dessas espiras?

  • A Alumínio.
  • B Ouro.
  • C Madeira.
  • D Cobre.
  • E Prata.

Um suporte de material isolante, de área circular de 5cm de raio e espessura de 5cm, como mostrado na figura a seguir, é usado para ser suporte dos barramentos de um equipamento. Considerando que a resistividade do material do suporte isolante é de 5π x 107Ω • m, a resistência elétrica do suporte isolante é dada por

Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas

  • A 1600MΩ.
  • B 1000MΩ.
  • C 2000MΩ.
  • D 1800MΩ.
  • E 1200MΩ.

Acerca de projeto, instalação e inspeção de redes elétricas, julgue o item subsequente.


As conexões empregadas nas emendas de cabos enterrados devem ser acessíveis para a realização de ensaios e verificações rotineiras das condições de fixação.

  • Certo
  • Errado