Os transistores de efeito de campo (JFET e MOSFET) representam um grande avanço na eletrônica por propiciarem uma redução considerável nos níveis de potência nos dispositivos eletrônicos bem como o aumento da densidade em circuitos integrados quando comparados aos transistores bipolares de junção (TBJ). Por outro lado, ao serem empregados como amplificadores de sinais, os transistores de efeito de campo
- A possuem uma maior transcondutância, resultando em um ganho de tensão mais elevado que os TBJs.
- B têm uma impedância de entrada muito alta, o que minimiza a carga no circuito de entrada e reduz a distorção do sinal.
- C dispõem de uma menor faixa dinâmica de operação, limitando sua utilidade em aplicações de amplificação de sinais de alta potência.
- D necessitam de uma corrente de porta significativa para operar corretamente, ao contrário dos TBJs que são controlados por tensão.
- E operam com uma impedância de saída mais baixa, proporcionando uma melhor transferência de potência ao estágio seguinte.