Questões de Transistores (Eletrônica)

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Analisando as curvas características de um transistor de junção bipolar na configuração emissor comum, para diferentes correntes de base, na figura abaixo, considere as seguintes afirmativas:

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Fonte: Eletrônica, Vol. 1. 8ª edição, Malvino, A.; Bates, D.

I. Na região ativa, cada corrente do coletor IC é 100 vezes maior que sua corrente de base correspondente.
II. A corrente de coletor é constante na região ativa.
III. Nas regiões ativas, o beta cc é igual a 100.
IV. Na região de saturação, a corrente do coletor IC não é igual a zero quando a corrente da base IB equivale a zero.

São verdadeiras as afirmativas

  • A II, III e IV.
  • B II e IV, apenas.
  • C I e III, apenas.
  • D I, II e III.
  • E I, III e IV.

Na figura abaixo, os valores da corrente de saturação, em mA, e da tensão de corte, em V, são, respectivamente, de

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  • A 30 e 15.
  • B 10 e 50.
  • C 0,03 e 15.
  • D 7 e 35.
  • E 0,01 e 50.

Na eletrônica existe um dispositivo semicondutor muito comum utilizado em diversas aplicações, tanto para amplificação de sinais quanto para comutação. Determinado profissional, durante a manutenção de um equipamento eletrônico, observou a existência de um desses dispositivos ligados em série com a bobina de um relé de acionamento de uma pequena carga. Diante do exposto, assinale, a seguir, o nome desse dispositivo, assim como sua função, respectivamente.

  • A FET – retificador.
  • B FET – amplificador de RF.
  • C Transistor bipolar – comutador.
  • D Transistor bipolar – amplificador de áudio.

Observe o circuito a seguir.

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Considerando um hFE elevado para o transistor, de modo que ele opere somente nas regiões de corte ou saturação, o menor valor de R que permite que o LED D1 acenda é:

  • A 12,5 kΩ
  • B 10 kΩ
  • C 5 kΩ
  • D 4,3 kΩ
  • E 9 kΩ

Um técnico precisou avaliar o funcionamento de um transistor bipolar como o da figura abaixo. Para isso, ele utilizou um multímetro digital na escala de medição de resistência.

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Para realizar o teste, o técnico utilizou as pontas de prova positiva (+) e negativa (-) do multímetro, ligando-as alternadamente aos terminais do transistor para a obtenção das medidas. Foi verificado que os valores de resistência medidos eram baixos ou muito altos. O técnico então anotou os estados das medidas na tabela a seguir.

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Em relação ao teste, é correto afirmar que o transistor

  • A é do tipo NPN.
  • B está com defeito.
  • C é do tipo PNP.
  • D é do tipo MOSFET.
  • E é de potência.