Questões de Resistores e Potência Elétrica (Física)

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Um chuveiro elétrico que foi projetado para funcionar em 220V vai ser ligado numa rede de 110V. Para dissipar a mesma potência elétrica, deve-se substituir o valor de sua resistência elétrica por um valor:

  • A duas vezes menor
  • B duas vezes maior
  • C quatro vezes menor
  • D quatro vezes maior

Considere a figura 14 com os mecanismos de formação da barreira Schottky em uma junção metalsemicondutor:

Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas

S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 247.

Assinale V para (verdadeira) ou F para (falsa) diante de cada afirmativa a seguir:

( ) Na inexistência de defeitos na superfície do semicondutor, a barreira dependerá da função trabalho do metal.
( ) A barreira Schottky surgirá sempre, porque o metal sempre causa defeitos no semicondutor.
( ) Superfícies semicondutoras ricas em defeitos tornam a barreira independente do metal.

Assinale a sequência correta.

  • A F - F - V.
  • B V - V - F.
  • C F - V - F.
  • D V - F - V.

Considere a figura 17, em que se apresentam duas situações que favorecem a obtenção de contatos ôhmicos em dispositivos eletrônicos.
Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas

S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 306.

Assinale V para (verdadeira) ou F para (falsa) para as afirmativas a seguir:
( ) No caso (a) pode existir assimetria da curva do módulo da corrente versus a tensão, mesmo que pequena.
( ) Essas estratégias só funcionam para semicondutores tipo n.
( ) No caso (b) o mecanismo principal de injeção de carga será tunelamento.

A sequência correta é:

  • A V - F - V.
  • B V - V - F.
  • C F - F - V.
  • D F - V - F.

Muitos dispositivos elétricos que fazem parte do nosso dia a dia, com o intuito de transformar energia elétrica em calor, efeito conhecido como efeito Joule, fazem uso de resistências. Ao observarmos dois dispositivos A e B que possuem, internamente em sua construção, resistências de valor R e 2R respectivamente, quando atravessados pela mesma corrente irão dissipar uma quantidade de energia X e Y respectivamente. Considerando que o intervalo de observação dos dispositivos é o mesmo, a relação entre X e Y é dada por

  • A X é igual a Y.
  • B X é o dobro de Y.
  • C X é a metade de Y.
  • D X é quatro vezes maior que Y.

Considere a figura 15 com as situações de polarização de junções Schottky. 



Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas



S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 249.



Assinale V para (verdadeiro) ou F para (falso) diante das afirmativas a seguir:


( ) Nos casos (a), a barreira não depende da tensão de polarização.


( ) Para polarização reversa severa, ocorrerá tunelamento.


( ) Para polarização reversa, a barreira é definida pela junção.


Assinale a alternativa com a sequência correta.

  • A V - V - F.
  • B V - F - V.
  • C F - V - F.
  • D F - F - V.