Resolver o Simulado Nível Médio

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Eletrônica

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Abaixo temos ilustrado um bloco que representa um circuito lógico com três entradas de variáveis (X, Y e T) e uma saída (M). A expressão Booleana que representa este circuito é. Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas. Baseado nesta expressão, podemos determinar que o circuito lógico é um(a)


Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas

  • A Multiplexador de duas entradas.
  • B Porta lógica OU exclusivo.
  • C Meio somador de 1 bit.
  • D Comparador de 2 bits.
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Qual é o valor da corrente no coletor em mA no circuito a seguir?

Dados: Transistor de silício, VBB = 10 V, VCC = 10 V, β = 100, RB = 200KΩ e RC = 1KΩ


Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas

  • A 48,5.
  • B 46,5.
  • C 4,85.
  • D 4,65.
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O ângulo de disparo do circuito abaixo está em seu valor máximo. Calcule o valor da tensão instantânea na carga em que ocorre o acionamento do SCR.


Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas

  • A 0V.
  • B 82,7V.
  • C 117V.
  • D 165,4V.
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Qual técnica de modulação discriminada abaixo é digital?

  • A Modulação por código de pulso.
  • B Modulação por posição de pulso.
  • C Modulação por divisão no tempo.
  • D Modulação por largura de pulso.
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Qual das alternativas abaixo está correta a respeito de um número Decimal Codificado em Binário?

  • A Os números binários 1010, 1011, 1100, 1101, 1110 e 1111 são utilizados para codificar sinais e símbolos matemáticos em binário.
  • B Um número binário de 32 bits pode representar um decimal de oito algarismos.
  • C São necessários três bits para representar cada algarismo no número decimal.
  • D O número 7A1(16) equivale a 011110100001 em BCD.
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Considere a frase "O RESISTOR E O CAPACITOR". Se cada caractere da frase (excluindo as aspas) for codificado em ASCII, quantos bytes serão necessários para codificar a palavra?

  • A 14
  • B 21
  • C 96
  • D 162
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Quanto às características físicas das bobinas, marque V para verdadeiro e F para falso. Em seguida, assinale a alternativa com a sequência correta.


( ) A indutância L aumenta com o quadrado do número de espiras N em torno do núcleo, considerando que a área e o comprimento da bobina permanecem os mesmos.

( ) A indutância L diminui pela metade com o aumento do dobro do número de espiras N em torno do núcleo, considerando que a área e o comprimento da bobina permanecem os mesmos.

( ) À medida que a área A abrangida em cada espira aumenta, a indutância aumenta, considerando que o número de espiras e o comprimento da bobina permanecem constantes.

( ) A indutância diminui à medida que o comprimento da bobina diminui, considerando que o número de espiras permanece constante.

  • A V – F – F – V
  • B V – F – V – F
  • C F – V – F – F
  • D F – V – V – V
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Podemos obter uma porta lógica do tipo NOT

  • A conectando todas as entradas de uma porta lógica AND entre si.
  • B aplicando nível lógico "I" fixo a uma das entradas de uma porta AND de duas entradas.
  • C com uma porta lógica XOR de três entradas com a entrada central fixa no nível "0".
  • D utilizando uma porta NOR de duas entradas mantendo uma delas com nível lógico "0" fixo.
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Qual deve ser o procedimento para aumentar a tensão sobre a carga RL no circuito abaixo?


Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas

  • A Diminuir o valor da tensão zener do Dz.
  • B Aumentar o valor de R4 e diminuir o valor de R3.
  • C Variar P1 de modo que o cursor X desloque no sentido de B.
  • D Variar P1 de modo que o cursor X desloque no sentido de A.
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Qual expressão Booleana representa o circuito lógico abaixo?


Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas

  • A Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas
  • B Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas
  • C Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas
  • D Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas

Eletroeletrônica

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As ferramentas elétricas merecem atenção ao uso correto por serem ferramentas compostas de metal, e terem placas e circuitos elétricos delicados à exposição de vários resíduos ou mesmo às condições inadequadas de armazenamento. E isso irá afetar diretamente na durabilidade delas. O armazenamento ideal dessas ferramentas para não enferrujar ou oxidar seus componentes e carcaça deve ser em:

  • A local completamente seco.
  • B caixas de papelão.
  • C caixas de ferro.
  • D local apropriado para o armazenamento de materiais de limpeza.
  • E arquivos de material inoxidável.
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Considere a seguinte chave eletrônica: Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas De posse de um multímetro analógico na escala de resistência x10k, suponha a realização dos seguintes ensaios: Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas A fim de atestar o funcionamento da chave, o resultado dos ensaios I e II devem resultar, respectivamente

  • A Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas
  • B 0,0
  • C Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas,0
  • D 0,Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas
  • E o Mosfet não pode ser avaliado neste caso devido a presença do diodo interno.
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Considere o seguinte arranjo de transistores:
Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas De forma analítica, o ganho total da corrente de coletor Ic em relação a corrente de base Ib é dado po

  • A β1 x β2
  • B β1 + β2
  • C β1 - β2
  • D (β1 x β2) + β1 + β2
  • E (β1 x β2) + β1 - β2
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Para as curvas características de transistores, a respeito do Efeito Early podemos afirmar que

  • A trata-se da tensão reversa responsável pelo mecanismo de avalanche nos semicondutores.
  • B trata-se da Tensão Vce Limite na região ativa da Reta de carga de um transistor quando Ic tende a zero.
  • C trata-se do efeito cumulativo de aumento no ganho Bt = B1*B2 associado a configuração Darlington de transistores.
  • D trata-se do efeito resultante da inclinação da curva IB de polarização de um transistor que ao extrapoladas se interceptam em um ponto em comum do eixo negativo de Vce.
  • E trata-se da carga armazenada em ambos os lados da camada de depleção em uma junção semicondutora PN.
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Considere o Diodo Zener com as seguintes características fornecidas pelo fabricante:
• Máxima potência dissipada pelo encapsulamento PZ(max) = 500mW. • Corrente mínima de de Zener Iz = 0,5mA. • Tensão de Zener Vz =12V.
Supondo que o Diodo Zener esteja funcionando corretamente para a regulação de carga, calcule os valores aproximados de mínimo e máximo admissíveis para a carga resistiva RL. Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas Os valores obtidos foram, respectivamente

  • A 250Ω < RL < 24kΩ
  • B 600Ω<Rl<1,9KΩ
  • C 253Ω<RL<600Ω
  • D 253Ω < RL < 1,9kΩ
  • E 1,9kΩ < RL < 24kΩ
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Ainda a respeito da chave eletrônica da figura, após o Ensaio I da figura anterior são realizadas as seguintes aferições: Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas Podemos inferir agora que o transistor encontra-se

  • A com defeito relacionado a um curto em seus terminais.
  • B com defeito relacionado a abertura de seus terminais.
  • C em perfeito estado, funcionando em modo disparado.
  • D em perfeito estado, funcionando em modo desligado.
  • E com defeito não identificável em seu diodo interno.
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Considere o gráfico que ilustra a Densidade Energética de baterias: Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas Podemos associar (i), (ii) e (iii) às seguintes tecnologias de baterias:

  • A Chumbo Ácido, Níquel-Hidreto Metálico e Lítio-Íon.
  • B Chumbo Ácido Recondicionada, Chumbo Ácido e Lítio-Íon.
  • C Chumbo Ácido, Lítio-Íon e Níquel-Hidreto Metálico.
  • D Lítio-Íon, Níquel-Hidreto Metálico e Chumbo Ácido.
  • E Níquel-Hidreto Metálico, Chumbo Ácido, e Lítio-Íon.
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O Fator de crista da corrente de carga.

  • A √2
  • B 2
  • C 4
  • D √2/2
  • E 1/2
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Considere a resposta em frequência do seguinte circuito baseado em amplificadores operacionais: Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas

  • A Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas
  • B Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas
  • C Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas
  • D Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas
  • E Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas
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Considere os itens a respeito do arranjo em série e paralelo de chaves eletrônicas e atribua V para verdadeiro ou F se falso.
( ) Para o aumento da capacidade de condução de corrente, TBj's em paralelo devem ter observado seus coeficientes de temperatura (negativo para TBJ's) pois se um dos transistores conduzir mais corrente, sua resistência em sentido direto diminui e sua corrente aumenta ainda mais. ( ) Em IGBT's o paralelismo é mais simples, pois os mesmos possuem coeficientes de temperatura positivos e constantes de maneira a facilitar seu paralelismo para divisão da condução de corrente. ( ) Para conexão de TBJ's em série, o tempo de entrada e saída de condução devem ser observados de maneira a não permitir que o dispositivo mais lento para condução ou rápido para o desligamento seja submetido a toda tensão de coletor/emissor. ( ) Já para o paralelismo de MOSFET's, uma vez que o aquecimento da chave implica em um aumento na resistência em sentido direto, o desvio da corrente resultante impede o paralelismo deste tipo de chave.
Assinale a sequência correta, no sentido de cima para baixo.

  • A V - V - F - F
  • B V - V - V - F
  • C V - F - V - F
  • D F - V - V - F
  • E V - F - F - F

Engenharia Eletrônica

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Nos sistemas de automação industrial, podemos ter o controle de processos contínuos, discretos ou, mais comumente, a mistura de ambos. Em qual das alternativas abaixo, constam apenas dispositivos que geram ou recebem sinais contínuos?

  • A Medidores de fluxo e acelerômetros.
  • B Chaves fim-de-curso e botões de emergência.
  • C Encoders óticos.
  • D Cabeçotes apalpadores.
  • E Disjuntores e relés.
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Dado o circuito lógico representado abaixo e as entradas A e B, defina a expressão representada pela saída C:


Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas

  • A A ^ B ^ B
  • B A + B + B
  • C A + B + ¬B
  • D A ^ B ^ ¬B
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Nos circuitos lógicos abaixo, considere que A tem valor Falso e B tem valor Verdadeiro.


Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas


Qual o valor booleano final de cada circuito?

  • A 1.Falso; 2.Verdadeiro.
  • B 1.Falso; 2.Falso.
  • C 1.Verdadeiro; 2.Falso.
  • D 1.Verdadeiro; 2.Verdadeiro.
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Considere o circuito digital representado abaixo.
Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas

Para que a saída Y tenha valor booleano 0, os valores das entradas A, B, C e D devem ser, respectivamente,

  • A 1,1,0,1
  • B 0,1,0,1
  • C 1,0,1,1
  • D 0,1,1,0
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Para diminuir a distorção de um sinal digital transmitido (sistema pulsado) por um meio de transmissão, deve-se

  • A utilizar a modulação por amplitude.
  • B utilizar a modulação por divisão de tempo.
  • C aumentar a banda passante do meio de transmissão.
  • D utilizar um meio de transmissão com uma pequena banda passante.
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Entre os componentes eletrônicos apresentados abaixo, qual é utilizado na recepção de sinais transmitidos por fibra óptica quando o sinal a ser recebido é muito débil e de frequência muito elevada?

  • A LED.
  • B Diodo PIN.
  • C Diodo APD.
  • D Fototransistor.
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Como variam os parâmetros de uma antena Yagi-Uda, abaixo relacionados, quando se altera a quantidade de elementos diretores de 2 para 6?

Relacione as colunas e assinale a alternativa com a sequência correta.

1 – Aumenta

2 – Diminui

( ) Relação frente-costa

( ) Largura de feixe

( ) Largura de faixa

  • A 2 – 1 – 2
  • B 2 – 2 – 1
  • C 1 – 1 – 2
  • D 1 – 2 – 1
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Uma empresa de telecomunicações necessita enviar os dados financeiros de uma instituição bancária A para uma B, porém elas encontram-se em cidades localizadas em países diferentes. Para montar um enlace entre essas cidades, a empresa optou por usar fibra óptica. Considerando o cenário apresentado e os diferentes tipos de fibra óptica existentes no mercado, qual tipo atende melhor aos requisitos exigidos na transmissão do enlace?

  • A Monomodo
  • B Multímodo Degrau.
  • C Multímodo Gradual.
  • D Monomodo Rayleigh.
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Sobre os semicondutores são feitas algumas afirmações. Selecione a alternativa com as afirmações incorretas:


I – Em um semicondutor tipo n, as lacunas são denominadas portadores minoritários.

II – Em um semicondutor tipo p, os elétrons livres são denominados portadores majoritários.

III – Na polarização direta do diodo, o terminal positivo da fonte de alimentação é ligado ao material tipo n.

IV – Na polarização reversa do diodo, o terminal negativo da fonte de alimentação é ligado ao material tipo p.

  • A I e III
  • B I e IV
  • C II e III
  • D II e IV