Questão 11 Comentada - Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia Sul-rio-grandense - Rio Grande do Sul (IF Sul Rio-Grandense) - Professor EBTT Área 30: Engenharia IV/Telecomunicações - IF Sul Rio-Grandense (2025)

O transistor de junção bipolar (TBJ) foi inventado em 1948 nos laboratórios Bell, sendo suplantado pelos transistores de efeito de campo (MOSFET) em meados dos anos 1970. Ainda assim, o TBJ continua sendo bastante utilizado em muitas aplicações que demandam circuitos analógicos, tanto integrados quanto discretos, como aplicações de radiofrequência.

Dos fatores abaixo, qual NÃO limita a utilização de um transistor de junção bipolar em altas frequências (acima de dezenas de MHz)?

  • A A indutância de seus terminais.
  • B A resistência de seus terminais.
  • C A capacitância de junção.
  • D O tempo de propagação do elétron pela junção p-n.