Questão 34 do Concurso Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de Mato Grosso (IF-MT) - Professor - UFMT (2015)

Engenharia Eletrônica Transistor | Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica


Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de Mato Grosso (IF-MT) - Diversos Cargos - UFMT (2015)

Em relação ao transistor MosFet e seus modelos, é correto afirmar:

  • A Na região de triodo, a tensão entre o dreno e a fonte é maior que a tensão do gatilho-fonte menos a tensão limiar (Vds > Vgs-Vt).
  • B O amplificador porta comum apresenta ganho elevado, mas a sua impedância de entrada é baixa.
  • C Na região de saturação, a tensão entre o dreno e a fonte é menor que a tensão do gatilho-fonte menos a tensão limiar (Vds < Vgs-Vt).
  • D A corrente de dreno é controlada por tensão e a expressão matemática da corrente de dreno explicita que ela é diretamente proporcional ao comprimento do canal.

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